饱和电流是指在特定条件下，电路或器件中所能达到的最大电流值。
在不同的物理情境中，饱和电流大小的影响因素有所不同： 光电效应中的饱和光电流 入射光强度：在光电效应实验里，当入射光频率高于金属的极限频率时，光强越大，单位时间内照射到金属表面的光子数越多，产生的光电子数目也就越多。
这些光电子形成的电流也就越大，所以饱和光电流与入射光强度成正比关系。
例如，用同一频率但不同强度的光照射锌板，强光照射时产生的饱和光电流比弱光照射时大。
金属材料：不同的金属材料，其逸出功不同。
逸出功小的金属，电子更容易从金属表面逸出，在相同的光照条件下，产生的光电子数量相对较多，饱和光电流也会较大。
比如钾的逸出功小于铜，在相同频率和强度的光照射下，钾产生的饱和光电流更大。
晶体管中的饱和电流 基极电流：对于三极管等晶体管，在共发射极放大电路中，当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随基极电流的增加而明显增大，此时达到饱和状态。
基极电流的大小直接影响着饱和电流的大小，一般来说，基极电流越大，最终能够达到的饱和电流也越大。
这是因为基极电流控制着发射区向基区注入载流子的数量，进而影响集电极电流的大小。
电源电压：电源电压决定了晶体管工作时的外部能量供应情况。
电源电压越高，在晶体管处于饱和状态时，能够提供给载流子的能量就越多，使得更多的载流子参与导电，从而使饱和电流增大。
例如在一个简单的三极管开关电路中，提高电源电压，饱和电流会相应上升。
温度：温度升高时，半导体材料内部的载流子浓度会发生变化。
对于晶体管而言，温度升高会使本征激发产生的载流子增多，导致集电极饱和电流增大。
而且温度还会影响晶体管的参数，如电流放大倍数等，间接影响饱和电流的大小。
二极管中的饱和电流 材料特性：不同材料制成的二极管，其内部的物理结构和电学性质存在差异。
例如硅二极管和锗二极管，由于它们的禁带宽度等材料特性不同，导致反向饱和电流大小有很大差别。
一般锗二极管的反向饱和电流比硅二极管大得多，这是因为锗材料的本征载流子浓度相对较高，在反向偏置时更容易产生漂移电流，形成较大的反向饱和电流。
温度：温度对二极管的反向饱和电流影响显著。
随着温度升高，半导体内部的热运动加剧，更多的共价键被打破，产生更多的电子 - 空穴对。
这些额外的载流子在反向偏置电压作用下形成的电流，使得二极管的反向饱和电流迅速增大。
通常温度每升高10℃，硅二极管的反向饱和电流约增大一倍。